일본, 64메가D램 개발성공...히타찌사 전자빔이용 회로패턴새겨

일본 히타치사는 7일 세계 최초로 64메가D램 반도체 기억소자를 개발하는데성공, 85년부터 양산할 계획이라고 밝혔다. 이 회사가 개발한 64메가D램은 현재 기억소자용 반도체의 주류를 이르고있는 1메가D램보다 3세대나 앞선 것으로 신문 2백50쪽분량의 정보를 기록할수있고 1.5V로 작동되기 때문에 손바닥 크기로 PC를 소형/고기능화 할수 있을뿐아니라 플로피디스크를 대용할수 있을 것으로 기대된다. 히타치가 시제품개발에 성공한 64메가D램은 약 1백98평mm의 실리콘칩 위에약 1억4천만개의 소자를 집적한 것으로 회로의 최소선폭은 1메가D램이 1.0미크론(1미크론 = 1천분의1mm)인데 비해 0.3 미크론이라는 초미세 가공기술이이용했다. 또 웨이퍼에 최근 패턴을 새겨넣는데도 종래의 광(자외선)으로는 파장이길어 이번에는 전자빔장치를 이용했다. 정보처리시간은 50나노초(1나노=10억분의1)로 초고속이며 소비전력은40밀리W다. 반도체 전문가들은 히타치의 이번 개발로 미반도체기업과의 기술격차가크게 벌어지게 됐다고 평가했다.