현대전자, 4메가 플래시 메모리칩 개발 성공

현대전자는 전원을 꺼도 기억내용이 지워지지 않는 차세대 메모리반도체인4메가 플래시 메모리칩 개발에 성공,내년 하반기부터 본격 생산에 들어간다. 현대전자는 1일 전기적으로 칩에 기록된 정보를 입력하거나 지울수 있는 비휘발성기억소자인 4메가 플래시 EEP( Electriclly Erasable Programmable)롬을 독자기술로 개발했다고 밝혔다. 플래시메모리는 정보를 보존하는 롬(ROM)과 정보의 읽기및 쓰기가 자유로운램(RAM)의 장점을 갖춘 고부가가치제품이다. 이제품은 정보처리속도가 90나노초(1나노초=10억분의 1초)로 매우 빠르며 회로선폭 0.8미크론의 가공기술을 사용해 칩의 크기를 65 로 소형화했다. 또 5V의 단일전원과 5V및 12V의 2중전원으로 사용할수 있으며 전력소비량이 30 로 적은 편이다. 이제품은 데이터소거시 지나치게 많은 정보가 지워지는 기존제품의 문제점을 해결했으며 AMD와 인텔사에서 판매중인 4메가 플래시 EEP롬과 완전한 환성을 갖고 있다. 이제품은 전원공급이 없어도 칩속에 10년이상 데이터를 저장할수 있으며 4백20만개의 기억소자를 집적시켜 신문 32페이지분량의 정보를 기억할수 있는용량을 갖고있다고 설명했다. 플래시메모리는 개인용컴퓨터, 하드 디스크 드라이브(HDD),셀룰러폰,HDD대체용보조기억장치등에 광범위하게 사용될수 있어 앞으로 D램을 능가하는 차세대제품으로 부각되고 있다. 플래시 EEP롬의 시장규모는 올해 10억달러,95년 20억달러,96년 25억달러에달할것으로 예상되고 있다. (한국경제신문 1994년 11월 2일자).