현대전자, 여주 '메모리 연구동' 완공..반도체 신소재 개발

현대전자는 총 2천억원을 투자, 경기도 여주군 가남면에 연면적 5천4백평 규모의 메모리 연구동을 완공했다고 16일 발표했다. 지하 1층 지상 3층 규모의 이 연구동은 반도체 생산공정에 필수적인 마스크 제작과 F램, 실리콘 이중막 웨이퍼 등의 신소재 개발을 담당하게 된다. 현대전자는 현재 이천에 소재한 메모리 연구소가 반도체 제조 공정과 설계에 초점을 맞춘 반면 가남 메모리 연구동은 차세대 반도체와 신소재 개발에 집중적으로 역량을 쏟을 계획이라고 밝혔다. 현대는 특히 가남 연구동에서 메모리 반도체, 주문형 반도체용 마스크를 자체 제작함으로써 2천년까지 연간 1천6백억원의 수입대체 효과를 거둘 수 있게 됐다고 설명했다. 또 차세대 반도체 소재인 강유전체와 이를 이용한 F램 등을 통해 기가급 반도체 개발에 대응할 수 있는 기반을 갖추게 됐다고 덧붙였다. (한국경제신문 1997년 6월 17일자).