하이닉스, 초저전압형 플래시메모리 2종 출시

하이닉스반도체가 비휘발성 저장매체로 응용 범위가 급속히 확대되고 있는 플래시메모리 분야의 신제품 2종을 출시한다고 7일 밝혔다. 플래시메모리는 전원이 끊어져도 정보가 기억되는 장점이 있으며 용도에 따라 크게 코드플래시메모리(NOR형)와 데이터 플래시메모리(NAND형)로 분류되며 노어형 플래시메모리는 휴대폰 단말기, PC의 롬 바이오스, 네트워크 장비, 셋톱박스 등의 프로그램을 저장하는 데 널리 사용된다. 이번에 출시하는 노어(NOR)형 플래시메모리인 32Mb 2V 듀얼뱅크타입(HY29DS322/323)은 웹 검색 및 음성인식 등이 가능한 휴대폰을 효과적으로 지원할 수 있고 동작속도가 빠르다. 또 메모리 셀의 크기를 기존의 것 보다 10~20% 가량 소형화시켰고 32Mb 플래시 2V 듀얼뱅크타입(HY29DS322/323)과 3V(HY29LV320)은 저전압인 2V와 3V에서 각각 100나노초(ns)와 70나노초(ns)의 고속동작이 가능하다. 그리고 시간당 더 많은 유닛을 프로그램할 수 있도록 40% 까지 프로그래밍 타임을 단축시킬 수 있고 제조자와 사용자만이 설정할 수 있는 보안기능을 갖췄다. 회사 관계자는 "이번 신제품은 하이닉스가 기존에 생산해오던 저전압/초저전압 16Mb 플래시 제품 포트폴리오를 더욱 업그레이드시켜 고성능 휴대폰, 네트워킹 시스템, 디지털가전 등 제조업체들의 까다로운 요구사항을 충분히 만족시킬 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다. 한편 하이닉스반도체는 플래시메모리 사업부문에서 올해 2,000만달러와 내년 1억2,000만달러의 추가 매출을 기대함과 동시에 전체 플래시메모리 시장의 75%를 차지하고 있는 노어형 제품 분야에서 세계시장 점유율 5위권에 진입할 계획이다. 한경닷컴 김은실기자 kes@hankyung.com