하이닉스, 차세대 휴대폰용 대용량S램 개발

하이닉스반도체가 최근 차세대 이동통신 단말기용 대용량 S램 개발에 성공했다. 29일 하이닉스는 "이미 해외 유력 업체를 대상으로 샘플 공급에 들어갔으며 내년 1/4분기부터 본격 양산에 들어가 연간 1억달러 규모의 매출을 기대하고 있다"고 말했다. 이 제품은 일반적인 S램 구조와 달리 1개의 트랜지스터와 1개의 축전기로 구성되는 D램의 셀 구조를 채용한 '슈도 S램' 16메가 및 32메가 두 가지이며 회로선폭 0.18미크론의 미세회로 공정기술을 적용했다. 또 기존 이동통신 단말기용 S램과 호환될 뿐만 아니라 업계 최초로 기존 범용 저전력 S램 과도 호환성을 가지도록 설계됐다. 하이닉스 관계자는 "'슈도 S램'은 고성능 이동통신 단말기를 비롯한 PDA, 디지털 비디오 카메라 등 무선 단말기를 겨냥해 연구 개발한 제품"이라며 "향후 IMT-2000 시장 발전에 따라 기존 휴대전화용 S램 시장을 빠르게 대체해 나갈 것"이라고 설명했다. 한경닷컴 유용석기자 ja-ju@hankyung.com