나노크기 반도체 신물질 개발.. 성균관대 정원국 교수

광통신에 사용되는 나노 크기의 반도체 신물질과 제조방법이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 성균관대 재료공학전공 정원국 교수는 갈륨비소계 나노 양자점(Nano Quantum Dot) 신물질과 이를 균일한 크기로 성장시키는 기술을 개발했다고 5일 밝혔다. 나노양자점은 나노크기의 반도체 3차원 형상으로 반도체 크기가 나노미터(㎚) 수준이 되면 전자의 움직임이 양자화되는 효과가 나타난다. 양자화 효과를 응용하면 광통신 시스템에 사용되는 반도체 레이저의 성능을 크게 향상시킬 수 있다. 특히 이를 극대화하기 위해선 나노 양자점이 광통신 시스템에 사용되는 1천3백㎚ 파장의 빛을 효율적으로 발광하도록 조절하는 기술이 필요하다. 이번에 정교수가 개발한 나노양자점 신물질인 인듐비소질소를 갈륨비소 웨이퍼 위에서 합성해 성장시키면 광통신에 사용되는 1천3백㎚ 파장의 빛을 효율적으로 내게 된다. 광통신용 나노반도체 신물질이 개발되기는 이번이 세계 처음이다. 특히 국내 기술로 개발됨에 따라 차세대 광통신용 광전소자 제작에 전기가 마련될 수 있게 됐다. 정교수는 "이번 연구로 차세대 나노양자점 광통신 레이저 제작,광증폭기를 이용한 파장변환기,단원자 트랜지스터,광결정 광소자 등을 개발하는 기반이 마련됐다"며 "광전소자의 개발을 크게 앞당길 수 있을 것"으로 내다봤다. 송대섭 기자 dssong@hankyung.com