삼성전자, 첫 비메모리 전용라인 건설

삼성전자가 1조2천6백91억원을 투자,처음으로 비메모리 반도체 전용라인을 건설한다. 이는 지난달 5일 삼성전자가 미국 IBM과 비메모리 반도체 차세대 기술을 공동으로 개발하기로 전략적 제휴를 맺은데 따른 후속조치다. 삼성전자는 기흥사업장내 월 3백mm 웨이퍼 7천장을 생산할 수 있는 비메모리 라인을 건설,내년 하반기 가동에 들어가기로 했다고 20일 발표했다. 신규 라인에서는 HDTV용 시스템온칩(SoC)과 CMOS 이미지센서(CIS),주문형반도체(ASIC) 등 고부가 제품이 생산된다. 삼성전자는 0.13마이크로미터(㎛)와 90나노 공정기술을 우선 적용하고 향후 65나노와 45나노 기술도 적용키로 했다. 현재 삼성전자는 기흥 사업장의 메모리 1∼5라인을 비메모리 라인으로 전환,운영중이고 비메모리 전용 라인을 신규로 건설하는 것은 이번이 처음이다. 기존 라인은 2백mm 웨이퍼까지만 사용하고 있지만 신규 라인은 3백mm 웨이퍼용으로 건설되는 것도 특징이다. 삼성전자 관계자는 "이번 투자는 시스템LSI 사업의 일류화를 추진하고 첨단 미세공정 기술을 활용해 SoC 사업을 전략적으로 육성하기 위한 것"이라고 말했다. 장경영 기자 longrun@hankyung.com