삼성전자 오스틴공장 웨이퍼 가공시설 확장

삼성전자가 미국 텍사스주 오스틴의 현지 반도체공장(SAS) 생산능력을 확충하기 위한 2단계 투자에 나선다.

삼성전자는 지난해부터 2005년까지 3년간 총 5억달러를 투자해 SAS를 나노급 반도체를 생산하는 첨단 생산라인으로 전환시키기 위해 지난해부터 매년 1억3천만달러 이상을 투자하고 있다고 25일 밝혔다.

'나노테크 3개년 투자계획'에 따라 이뤄지는 SAS에 대한 투자가 마무리되는 내년 3·4분기 이후부터 SAS에선 1백나노(1㎚는 10억분의 1m)급 첨단기술을 적용한 D램 제품이 생산될 예정이다.

장경영 기자 longrun@hankyung.com