삼성ㆍ하이닉스 60나노 D램 상반기 본격 양산

삼성전자와 하이닉스반도체가 올해부터 60나노 공정을 도입한 D램 양산에 들어갈 계획인 것으로 확인됐다.

삼성전자와 하이닉스반도체는 현재 80,90나노 공정으로 D램을 생산하고 있으며 60나노로 공정이 좀 더 미세화되면 기존 80나노에 비해 생산량을 50% 가까이 향상시킬 수 있다.

작년 9월 50나노 D램 제조기술 개발에 성공한 삼성전자는 이르면 올 3월 60나노 공정을 통한 D램 양산에 들어간다는 방침이다.

삼성전자는 작년 3월에는 세계 최초로 80나노 D램 양산을 시작해 90나노 공정 대비 생산성을 50％ 향상시키는 효과를 거둔 바 있다.

하이닉스반도체도 상반기 중 60나노 D램 양산을 시작할 예정이다.

하이닉스반도체 관계자는 "2월 중 첫 웨이퍼를 투입해 이르면 5월부터는 60나노 공정을 통한 D램의 본격 양산을 시작할 계획"이라고 말했다.

이에 따라 올해도 삼성전자와 하이닉스반도체 등 한국 기업들이 메모리 반도체 시장에서 주도권을 강화해 나갈 수 있을 것으로 기대된다.

미국 일본 등의 D램 제조업체들은 여전히 90나노 공정이 주류를 이루고 있고 우리 나라 기업들이 작년 생산에 들어간 80나노 D램 양산에도 고전하고 있기 때문이다.

낸드플래시의 경우에도 삼성전자는 이미 40나노 기술 개발을 끝내놓고 올해 1분기 중 50나노 공정이 적용된 제품을 양산할 계획이다.

하이닉스반도체도 올해 60나노급의 기술 개발을 끝내고 양산체제를 구축하는 한편 50나노 공정 개발을 완료할 예정이다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com