메모리·트랜지스터 핵심 소자 '나노막대' 양산기술 개발

차세대 정보통신 핵심 부품과 소재로 기대되는 나노 와이어(나노 막대)를 대량 생산할 수 있는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

광주과학기술원 송종인 교수팀은 반도체 실리콘 기판 위에서 갈륨비소(GaAs) 나노 와이어를 균일하게 배열시키는 제조 기술을 개발했다고 15일 밝혔다.

나노 와이어는 입자가 선인장 가시 형태로 기판 위에 붙어있는 나노 결정 구조의 하나로 레이저나 트랜지스터,메모리,화학감지용 센서 등에 들어가는 나노 소자로 활용되고 있다. 그동안 이 나노 와이어 구조는 그 크기(지름)가 균일하지 않아 대량 생산에 걸림돌이 돼왔다.

송 교수팀은 스테인리스로 만든 특수 초고진공 환경에 갈륨 비소를 집어넣고 고온에서 증발시킨 뒤 빔을 쏘아 이 입자들을 골고루 분포시키는데 성공했다.

이에 따라 광학적 특성이 뛰어나고 크기가 균일한 갈륨비소 나노 막대를 대량으로 제조할 수 있는 기반을 확보했다고 송 교수는 설명했다. 이 연구성과는 '나노 레터스' 최근호에 게재됐다.

송 교수는 "차세대 나노소자 기술을 이미 체계화된 실리콘 반도체 기술과 접목시켜 실리콘기반 나노 소자를 개발하는 토대를 마련했다는 점에서 의의가 있다"고 밝혔다.

오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com