[리포트]차세대 반도체 개발 경쟁 가속화

D램가 하락으로 고심하고 있는 반도체기업들이 차세대 반도체 개발에 적극 나서며 경쟁에 속도가 붙었습니다. 보도에 안태훈 기자입니다. 하이닉스가 차세대 메모리 반도체인 'P램' 개발에 본격적으로 뛰어들었습니다. 하이닉스 관계자 "P램 원천기술 갖고 있는 미국의 오보닉스사와 기술협력 계약을 맺었다. 내년 하반기 P램 개발 마치고 2009년 중반 실질적인 제품 출시할 수 있을 것" P램은 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시메모리와 처리속도가 빠른 D램의 장점을 모두 갖추고 있습니다. 하이닉스의 차세대 반도체 개발은 P램만이 아닙니다. 지난 8월에는 스위스의 한 메모리 기술 개발 업체와 신개념 반도체 'Z램'에 대한 라이선스 계약을 체결한 바 있습니다. 하이닉스는 차세대 메모리 개발에 역량을 집중, 2017년까지 매출의 30% 이상을 신규제품군으로 채운다는 계획입니다. 한발 앞선 지난 2005년 오보닉스와 P램 관련 특허 계약을 체결한 삼성전자 역시 차세대 반도체 개발에 총력을 기울이고 있습니다. 지난해 9월에는 512메가비트 P램 개발에 성공했으며 내년 양산을 앞두고 있습니다. 삼성전자는 이밖에도 다양한 반도체의 기능을 하나의 칩에 모아놓은 퓨전반도체에 집중하고 있습니다. WOW-TV NEWS 안태훈 입니다. * Z램이란? D램은 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해, Z램은 캐패시터 없이 트랜지스터로만 구성되는게 가장 큰 특징이다. Z램은 실리콘 온 인슐레이터라는 독특한 구조로 트랜지스터를 만든다. 이 구조로 만들면 트랜지스터가 동작할 때 내부에 불필요한 양전하가 쌓여 극성을 띠게 된다. Z램은 트랜지스터의 극성을 0과 1의 이진수 데이터로 역이용해 데이터를 저장할 수 있게 된다. * 실리콘 온 인슐레이터(Silicon on Insulator): 실리콘-절연체-실리콘의 3층 구조로 되어 있는 웨이퍼로, 흔히 SOI라는 약어로 불린다. 전자 부품 내부에서는 서로 가까이 있는 도체들 사이에 불필요한 전기적 용량이 발생하여 정상적인 동작에 나쁜 영향을 주는데, 실리콘 온 인슐레이터 구조를 적용하면 회로를 형성하는 기판 표면과 하층 사이에 얇은 절연막이 있으므로 이와 같은 영향을 줄일 수 있다. 이에 따라 반도체의 동작 속도를 빠르게 할 수 있고, 소비 전력을 낮출 수 있다. 안태훈기자 than@wowtv.co.kr