화성 이어 두번째 EUV 전용라인…10조원대 대규모 투자 이재용 "어려울 때일수록 미래에 투자해야"…글로벌 1위 목표 본격화
삼성전자가 평택에 극자외선(EUV·Extreme Ultra Violet) 파운드리 생산라인을 구축하는 대규모 투자 계획을 발표했다. 이를 통해 2030년 글로벌 시스템 반도체 시장 1위를 달성하는 '반도체 비전 2030' 목표에 한 발 더 다가선다는 계획이다.
삼성전자는 경기도 평택캠퍼스에 2021년 가동을 목표로 EUV 기반의 최첨단 제품 수요에 대응하는 파운드리(반도체 위탁생산) 생산 시설을 구축한다고 20일 밝혔다.
이번 투자는 지난해 4월 이재용 부회장이 2030년까지 133조원을 투자해 시스템 반도체 1위 자리를 차지하겠다고 밝힌 '반도체 비전 2030'의 일환이다. 삼성전자는 올해 2월 화성사업장에 초미세 극자외선(EUV) 전용 'V1 라인'을 본격 가동한 데 이어 이번에 평택캠퍼스에도 처음으로 EUV 파운드리 라인을 신설하며 목표 달성을 위한 투자를 본격화한 것이다.
삼성이 이번 투자 규모는 공개하지 않았으나 증권업계에서는 10조원에 달하는 대규모 투자가 이뤄질 것으로 보고 있다.
이와 관련, 이재용 부회장은 "어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다"며 시스템 반도체 1위를 향한 지속적인 투자 의지를 밝혔다. 현재 삼성이 보유한 파운드리 생산라인은 기흥 2개, 화성 3개, 미국 오스틴 1개 등 총 6개다.
이번 평택은 7번째 파운드리 라인이면서, EUV 생산 라인으로서는 화성에 이어 두번째다.
EUV 노광 기술은 파장이 짧은 극자외선 광원으로 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술로, 기존 공정으로는 할 수 없는 초미세 회로 구현이 가능하다. 기존 불화아르곤을 대체할 수 있는 차세대 광원으로, 고성능·저전력 반도체를 만드는 데 필수적인 기술이다.
현재 글로벌 파운드리 시장은 대만의 TSMC가 압도적인 1위 자리를 지키고 있으며 삼성이 2위 자리에서 추격하는 양상이다.
삼성전자는 차세대 기술인 EUV를 통한 기술력 싸움으로 TSMC와의 격차를 좁혀 나가면서 시스템 반도체 1위 달성을 위한 초석을 다지겠다는 각오다.
삼성전자는 지난해 '반도체 비전 2030' 발표 이후 파운드리 생산시설 투자를 지속적으로 확대하고 있다.
지난해 화성 'S3 라인'에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후 2020년 'V1 라인'을 통해 초미세 공정 생산 규모를 확대했다.
앞으로 평택 라인까지 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 가파르게 증가할 전망이다.
평택라인의 첫 가동은 2021년으로 예정돼 있다.
삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤 이후 평택 파운드리 라인에서도 5나노 제품 생산에 나설 계획이다.
5나노 공정은 현존하는 최고 난도의 초미세공정으로, TSMC와 삼성이 양산 시점을 놓고 경쟁하고 있다.
삼성은 현재 5나노 공정보다 생산성이 더욱 극대화되는 3나노 공정을 개발중이다.
여기에는 기존 구조와 다른 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용해 초미세 공정기술을 한단계 높인다는 계획이다.
3나노 기반의 제품 생산은 2022년이 목표다. 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 "앞으로 5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 말했다.