4분기 실적 콘퍼런스콜…"성장성에 투자 집중, 고부가가치 매출 우선시" HBM 수요 연평균 60% 성장 예상…수요 촉발 기폭제는 '온디바이스 AI' SK하이닉스가 올해 메모리 반도체 수요 회복에 발맞춰 고대역폭 메모리(HBM) 등 프리미엄 제품을 중심으로 감산 규모를 점진적으로 조정한다.
보수적인 투자 기조는 유지한다. SK하이닉스는 25일 작년 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "올해 수요 회복과 함께 공급은 업계 재고 수준이 정상화되는 시점에 맞춰 감산 규모가 점진적으로 조정될 것으로 예상된다"며 "다만 감산이 필요했던 레거시(범용) 제품 생산은 계속 감소하고, 수요가 증가하고 선단 공정이 필요한 프리미엄 제품을 중심으로 생산이 증가하기 때문에 전체 생산량 증가는 제한적일 것"이라고 말했다.
SK하이닉스는 "지난해 보수적인 생산 기조를 유지한 결과 3분기부터 판매량이 생산량을 웃돌면서 하반기에는 재고 개선세가 분명하게 나타났다"며 "D램은 올해 상반기 중, 낸드는 하반기 중에 (재고가) 정상 수준으로 도달할 것"이라고 예상했다.
올해 D램과 낸드 수요 증가율은 각각 10% 중후반대로 예상했다. 반면 생산 증가율은 한 자릿수에 그쳐 수요 증가율이 생산 증가율을 크게 웃돌 것으로 내다봤다.
SK하이닉스는 "시장 성장에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획"이라며 "1분기는 계절적인 영향에도 가격 상승세가 지속될 것으로 보여 수익성 중심의 운영을 지속할 것"이라고 말했다.
특히 보수적인 투자 기조를 유지하면서 투자 증가가 공급 과잉으로 이어지지 않도록 '선택과 집중'을 강화할 방침이다. SK하이닉스는 "작년에는 수요 둔화에 대응하기 위해 전년 대비 50% 이상 축소해서 투자를 진행했고, 올해도 보수적인 투자 기조를 유지할 생각"이라며 "철저히 고객 수요에 기반해서 가시성이 확보된 제품의 생산 확대를 위해 투자할 계획"이라고 밝혔다.
올해 투자는 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 양산을 확대하거나 실리콘관통전극(TSV) 증설, 필수 인프라 투자 등의 우선순위를 고려해 투자하고 증가분은 최소화한다는 계획이다.
SK하이닉스는 최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가에 힘입어 HBM 수요가 연평균 60% 수준으로 성장할 것으로 예상했다. 여기에 AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대에 따라 성장률 추가 확대가 가능하다고 판단했다.
특히 기기 자체적으로 AI를 구동하는 온디바이스 AI를 갖춘 AI PC와 AI 스마트폰을 앞으로 메모리 반도체 수요를 촉발할 기폭제로 꼽았다.
단말 기기에서 AI 서비스를 지원하려면 고성능·고용량 하드웨어 성능이 뒷받침돼야 하기 때문이다.
SK하이닉스는 "응용처별로 차이는 있겠지만 온디바이스 AI 수요로 인해 기기당 (메모리) 탑재량이 증가할 것으로 기대한다"며 "AI PC는 기존 PC 대비 약 2배 이상의 D램 용량이 탑재돼야 하고, AI 스마트폰은 기존 스마트폰 대비 최소 4기가바이트(GB) 이상의 D램 용량이 더 필요할 것으로 보인다"고 진단했다.
회사 측은 "AI용 메모리 수요가 본격화하면서 앞으로 경쟁은 물량 기반 점유율보다는 고객에게 필요한 가치를 시의적절하게 제공하면서 그에 상응하는 합리적인 가격을 통해 매출과 이익을 성장시키는 것이 중요하다"고 설명했다.
그러면서 "앞으로도 물량 중심보다는 고부가가치 중심 매출을 우선시하고 수익성 점유율 확대에 우선순위를 두겠다"고 강조했다.
SK하이닉스는 차세대 HBM 제품인 HBM3E는 올해 상반기 중 공급을 시작할 예정이다.
아울러 이미 선두를 점한 HBM 시장 외에도 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2에서도 신속히 대응해 '토털 AI 메모리 프로바이더' 입지를 강화한다는 전략이다.
경기 침체의 직격탄을 맞아 유독 손실이 컸던 낸드 사업의 경우 작년 4분기에 업황 회복과 함께 수익성이 많이 개선됐다.
낸드 평균판매가격(ASP)이 전 분기 대비 오르면서 기존에 인식한 재고자산평가 손실 충당금 환입이 4천억∼5천억원 수준으로 이뤄졌다.
SK하이닉스는 "작년 4분기에 낸드는 업계 감산 및 고객 수요 개선에 따른 가격 회복 기조 속에서 저수익 제품 판매를 줄이고 프리미엄 제품 비중을 높이면서 ASP가 크게 상승했다"고 설명했다.
아울러 "당분간 가격 상승 기조가 유지될 것으로 보이기 때문에 올해는 재고평가손실 충당금의 환입에 따라 실적에 긍정적인 영향이 있을 것으로 본다"고 덧붙였다. 한편 중국 우시 D램 공장(팹)에 대해 회사 측은 "궁극적으로 1a 나노 전환을 통해 DDR5와 LPDDR5 제품 양산이 가능하도록 해서 활용 기간을 최대한 연장하는 방향으로 생각한다"고 말했다.