첨단 기억소자인 1메가S램이 국내기술진에 의해 개발됐다.
S램은 재충전하지 않아도 기억된 내용이 없어지지 않는 기억소자로 휴대
형 컴퓨터나 계측기등 저소비전력이나 고속처리가 요구되는 기기에 널리
사용된다.
16일 삼성전자(대표 강진구)는 이 회사 기흥 반도체연구소 최규현박사팀
이 1메가S램을 자체개발하는데 성공했다고 밝혔다.
이번에 개발한 1메가S램은 4메가D램과 같은 수준의 고도기술을 필요로하
는 반도체로서 칩하나에 약 600만개의 소자가 집적돼 있고 회로선폭은 0.8
미크론(1미크론은 100만분의 1m)에 불과하다.
또 최신공정기술인 다층배선구조를 이용하고 정보처리속도가 빠르고 소
비전력이 적은 CMOS(상보형 금속산화막 반도체)구조로 돼 있어 정보처리속
도가 70나노초(1나노초는 10억분의 1초)에 이른다.
한편 1메가S램은 현재 일본의 도시바 후지쓰등 3-4개사만이 개발에 성공
했으며 세계시장 규모는 올해 3,000만달러에서 내년에 1억1,000만달러, 90
년 1억9,000만달러, 91년 5억2,000만달러로 크게 늘어날 것으로 예상되고
있다.