삼성전자, 미에 반도체공장 건설...부지물색
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삼성전자가 미국에 반도체공장을 건설할 계획이다.
17일 관련업계에 따르면 삼성전자의 미국현지 반도체법인인 SSI는 미국
내에 D램생산공장을 건설키로 하고 현재 후보지를 물색하고 있다.
약 2억달러를 들여 건설할 이 공장후보지는 SSI 본사가 있는 캘리포니
아주나 오리건주가 유력한 것으로 알려지고 있다.
이공장은 6인치웨이퍼를 연간 24만장가량 처리할수 있는 규모로 회로선
폭 0.5미크론(1미크론은 100만분의 1m)의 CMOS(상보형금속산화막반도체)
소자를 생산할수 있는 능력을 갖춰 16메가D램의 양산에도 활용될수 있다.
현재 SSI는 미산호제에 5인치 웨이퍼를 연간 12만장가량 처리할수 있는
파일럿 공장에서 고속S램등의 기억소자와 PLA(프로그래머블 로직 어레이)
등을 생산하고 있다.
또 이회사는 D램개발을 위해 반도체설계전문가 250여명을 최근 새로 채
용한 것으로 알려졌다.
17일 관련업계에 따르면 삼성전자의 미국현지 반도체법인인 SSI는 미국
내에 D램생산공장을 건설키로 하고 현재 후보지를 물색하고 있다.
약 2억달러를 들여 건설할 이 공장후보지는 SSI 본사가 있는 캘리포니
아주나 오리건주가 유력한 것으로 알려지고 있다.
이공장은 6인치웨이퍼를 연간 24만장가량 처리할수 있는 규모로 회로선
폭 0.5미크론(1미크론은 100만분의 1m)의 CMOS(상보형금속산화막반도체)
소자를 생산할수 있는 능력을 갖춰 16메가D램의 양산에도 활용될수 있다.
현재 SSI는 미산호제에 5인치 웨이퍼를 연간 12만장가량 처리할수 있는
파일럿 공장에서 고속S램등의 기억소자와 PLA(프로그래머블 로직 어레이)
등을 생산하고 있다.
또 이회사는 D램개발을 위해 반도체설계전문가 250여명을 최근 새로 채
용한 것으로 알려졌다.