2일 한국전자통신연구에 따르면 화합물반도체연구부 김진섭박사팀이
HEMT소자제작에 필요한 주요 단위공정을 개발, 이를 이용해 HEMT 소자를
제작했다는 것이다.
이성과는 과기처 특정연구과제인 갈륨비소 초고속집적회로개발사업의
세부연구과제인 초격자성장및 물성분석기술개발을 통해 얻어진 것.
김박사팀은 반절연성갈륨비소기판에 0.02-0.04미크롬 (1미크롬은
100만분의 1m) 두께의 GaAsi-AlGaAsn-AlGaAs GaAs층을 성장시킨후
소스(Source) 드레인(Drain) 게이트(Gate)를 형성시켜 HEMT소자를 말들었다.
이소자는 소스와 드레인사이의 간격이 10미크롬, 게이트의 길이와 폭이
2.8미크롬및 100미크롬이며 상호건덕턴즈는 최대 46.1MS/mm로 측정됐다.
*** 2-3년내 기존소자보다 5배빠른 HEMT기본소자 개발 예정 ***
김박사는 "이 측정치는 외국에 비해 훨씬 떨어지는 수준"이라고 밝히면서
"이를 향상시키기 위한 공정, 그중에서도 특히 게이트형성에 관련된
최적공정조건확립을 집중연구해 2-3년이내에 기존 실리콘소자보다 5배가량
빠른 HEMT기본소자를 개발할 계획"이라고 덧붙였다.
HEMT소자는 화합물반도체인 갈륨비소(GaAs)와 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)를
이종접속시킴으로써 그접합계면에 2차원자자가사 (2DEG)층 채널 형성시켜
동작속도및 상호컨덕턴스 (Transconductance)를 향상시킨 소자이다.