정보처리속도가 세계최고수준이면서 집적도를 높이기쉬운 갈륨비소
(GaAs)16KS램이 국내에서 설계됐다.
*** 갈륨비소 16KS램 설계 끝나 ***
7일 한국전자통신연구소에 따르면 화합물반도체연구부 박정무박사팀이
4K x 4비트 구조의 갈륨비소 16KS램설계를 최근 끝냈다는 것이다.
과기처 특정연구과제인 "갈륨비소 초고속집적회로개발"사업의 1차연구를
통해 설계된 이 16KS램은 정보를 기억시키는 기본단위인 메모리셀(Memory
Cell)을 자체고안, 적용했으며 회로의 동작에 영향을 미치는 임계전압
(Theshold Voltagee)의 변동허용폭을 넓혀 집적도를 높이기 쉽다는 것.
*** 영상처리 / 대용량컴퓨터 응용기대 ***
갈륨비소반도체는 기존의 실리콘반도체보다 정보처리속도가 빨라 대량의
정보를 고속처리해야 하는 영상처리, 대용량고속컴퓨터등에 응용이 기대되고
있으나 제조공정기술이 뒤져 선진국에서도 4KS램이 상품화됐을 정도로
집적도가 낮은 수준에 머물러 있다.
박박사팀은 갈륨비소반도체의 기본소자가 작동할수 있는 임계전압의
허용변동폭을 40%가량 넓힐수 있도록 설계함으로써 기존 공정기술로도 10만개
이상의 소자가 집적된 갈륨비소 16KS램을 제조할수 있도록 했다는 것이다.
또 새로운 구조의 메모리셀은 기록된 내용을 판독할때 셀내용이 파괴되는
현상을 없앨수 있고 셀의 크기를 줄여 칩면적을 축소시킬수 있도록 함으로써
수율을 크게 높일수 있다는 것.
*** 정보처리 3.2나노초 ***
한편 박박사팀은 이번에 설계환 16KS램을 시뮬레이션(모의기능시험)한 결과
정보처리속도가 3.2나노초 (1나노초는 10억분의1초)에 이르는 것으로
확인했는데 이는 지금까지 발표된 것 가운데 실리콘을 사용한 S램의 최고속도
8나노초, (1메가S램)보다 2.5배, 갈륨비소S램의 최고속도 4.1나노초(16KS램)
보다 1.5가량 빠른 세계최고속 수준이라는 것.