고속소자는 물론 LED(발광 다이오드) LD(데이터 다이오드)등에 사용될수
있는 갈륨비소(GaAs) 단결정 웨이퍼가 국내 기술진에 의해 개발됐다.
한국반도체연구조합은 27일 동조합 주관으로 금성전선과 삼성코닝이 3년간
55억4,000만원을 들여 갈륨비소단결정 웨이퍼를 개발했다고 밝혔다.
이번 개발기술을 반절연과 반전도성을 갖는 3인치 크기의 액체봉지 초크탈
스키법과 수평 브리지맨(Bridgeman)법으로, 이를 통해 단결정 성장기술과
절단, 경면가공등의 웨이퍼 가공기술, 단결정 특성 평가기술등이 확보됐다.
갈륨비소 단결정 웨이퍼는 금속막 전계 초과 트랜지스터 (MESFET),
마이크로 웨이브용 단일체 IC (MMIC), 광전IC (OEIC)등 고속 신호처리소자용
이나 기판재료로도 사용되는 새로운 반도체용 재료이다.