고품위 갈륨비소(GaAs) 단결정을 제조할수 있는 새로운 기술이
국내에서 개발됐다.
15일 한국과학기술연구원 반도체재료연구실 문영기 실장팀은
자체개발한 금로(Gold Furnace)를 이용해 결함이 적고 균질한
갈륨비소 단결정을 성장시키는 기술을 개발했다고 밝혔다.
*** 단결정에 미치는 나쁜영향 미리 방지 ***
문실장팀이 자체개발한 금로는 전열선을 감은 석영유리관의
바깥에 금을 입힌 것으로 금막이 복사열을 내부로 반사시켜 갈륨
비소를 빨리 용융시킬수 있으며 온도를 섭씨 0.1도 이내로
정확히 제어할수 있다.
문실장은 CCD(고체활상소자) 카메라도 결정성장상태를 직접
볼수있어 단결정에 미치는 나쁜 영향을 미리 방지할수 있다고 설명하고
이에 관련된 특허를 국내및 미국 일본등에 출원했다고 밝혔다.
문실장팀은 이 금로를 써서 HZM(일부영역만 용융시켜 수평으로
단결정성장)법과 VGF(온도를 변화시켜 밑에서부터 위로 단결정성장)
법을 개발했다.
이방법으로 갈륨비소단결정을 성장시킨 결과 불순물의 농도가
균질한 부분이 전체의 80%에 이르며 전자이동도가 30%가량 높고
전위결합밀도도 균일해 이것을 이용하면 갈륨비소 반도체
생산성을 크게 향상시킬수 있을 것으로 기대된다고 밝혔다.
한편 문실장팀은 이번 1인치짜리에 이어 상용화할수 있는
2인치제조기술도 개발 할 계획이다.