반도체소재업계가 실리콘보다 정보처리속도가 5배나 빠른 갈륨비소
(GaAs)의 개발에 경쟁적으로 나서 반도체소재및 관련계통의 자금을 앞당기고
있다.
13일 반도체업계에 따르면 금성전선과 삼미전자가 갈륨비소반도체소재인
단결정및 웨이퍼개발에 착수한데 이어 포철 삼성전자 미 몬산토사와의
합작업체가 개발에 참여할 방침이다.
이에따라 수입에 의존하고 있는 갈륨비소 소재생산이 빠르면 오는 92년부터
가능해질 것으로 예상된다.
금성전선은 이미 3인치짜리 갈륨비소웨이퍼 개발을 끝냈으며 시장성이 큰
5인치 웨이퍼를 개발중이다.
또 삼미전자는 삼미특수강연구소를 활용, 올해중 갈륨비소단결정제조
기술연구를 끝낸뒤 시장성을 보아가며 생산시기를 결정할 계획인데
93년 이전에 소재생산이 이루어질 것으로 내다보고 있다.
갈륨비소소재개발이 이처럼 활기를 띠는 것은 나라안팎으로 관련제품의
수요가 늘고 있어서이다.
국내에서는 현재 삼성전자 금성기전 삼미전자 국제상사등 4개사가
갈륨비소소재를 가공, 반도체관련제품의 양산을 추진중이다.
삼성전자는 LD(레이저다이오드)등 8종을 개발한데 이어 위성방송수신
기능등 6종을 개발중으로 시장이 확보되면 기흥연구소에 설치한 생산라인을
가동, 양산에 나서게 된다.
금성기전의 경우 금성중앙연구소가 개발한 LD생산기술을 활용, 수요가
늘어나면 대량생산체제를 갖춰 시장공략에 나설 계획이다.