16개및 64메가급 반도체생산에 쓰이는 고집적회로소자 신호처리
선로 소재가 개발됐다.
4일 한국과학기술연구원 (KIST)민석기 김용태박사팀은 이번에 개발한
신호처리선로소재가 "저저항텅스텐박막"으로 저항이 낮은데다 반도체기판
에 증착하기가 용이한 소재라고 밝혔다.
민박사탐은 플라즈마화학증착법(PECVD)을 이용, 텅스텐을 함유한 반응
기체를 섭씨 2백-4백도의 온도와 0.1-1토르의 압력에서 플라즈마상태로
만든뒤 특수처리에의한 새로운 증착기술로 저저항텅스텐박막을 개발했다.
이같은 개발결과는 미국 일본등의 물리학회에 발표돼 cm당 10미크론옴
의 저항치가 플라즈마화학증착기술로서는 가장 낮은 저항값이라는 인정을
받았다.
그동안 반도체소자제조에 쓰이는 신호처리선로로는 다결정실리콘박막이나
민박사팀은 고속정보처리에 필요한 낮은 저항성및 내열성을 가지면서 규소
웨이퍼와 반응성이 없고 안정성이 높은 텅스텐박막이 고집적반도체에
적합하다고 판단, 연구에 나서 이번에 저저항텅스텐박막을 개발했다.
이소재는 16메가및 64메가급 고집적회로소자및 화합물 반도체소자의
신호처리선로로 폭넓게 응용될 것으로 기대되고 있다.