금성사(대표 이헌조)가 휴대전화기 연속통화시간을 기존 실리콘바이폴라
트랜지스터보다 20%이상 높일수있는 갈륨비소트랜지스터를 국내 처음 국
산화했다.

7일 금성사는 금성중앙연구소가 8억원을 들여 개발한 휴대전화기
전력증폭용 갈륨비소트랜지스터가 8백~9백메가 대역에서 1.4W의 교류출력을
낼뿐아니라 전력부가효율도 60%이상에 이른다고 밝혔다.

금성사는 이번 갈륨비소트랜지스터의 국산화로 증폭트랜지스터부문에서
연간 50억원의 수입대체효과를 얻게됐다고 분석했다.