초미세가공기술 이용 주문형반도체 개발...금성일렉트론

금성일렉트론이 삼성전자에 이어 0.8미크론(1미크론은 1백만분의 1mm)급 초
미세 가공기술을 이용한 ASIC(주문형반도체)을 상품화하는등 국내에서도 서
브미크론급 ASIC시대가 본격화되고있다.
금성일렉트론은 5일 기존의 1.2미크론급 제품보다 집적도와 정보처리속도가
크게 향상된 0.8미크론급 ASIC을 개발, 생산을 시작했다고 밝혔다.
이 제품은 게이트어레이의 경우 23만개, 스탠더드셀은 30만~35만개의 게이
트를 사용할수있어 1.2미크론 제품보다 집적능력이 4배정도 크고 처리속도도
80bps로 2배정도 향상됐다.
또 ASIC분야의 세계적 반도체업체인 미국 VLSI테크놀러지사와 제품 규격이
일치, 호환성을 갖고있어 내수는 물론 수출도 확대할수있게됐다.
이 회사는 미국과 홍콩에 ASIC디자인 하우스를 갖고있다.
이에앞서 삼성전자는 지난해 0.8미크론급을 개발한데 이어 금년초부터 내수
판매 및 수출에 나섰다.
이 회사는 ASIC부문을 강화하기위해 미국 독일 일본 홍콩 대만등 5개국에
디자인센터를 개설했으며 기흥 반도체공장에 있는 D램생산 라인의 일부를
ASIC라인으로 개체하고있다.
이 회사는 현재 0.5미크론급 제품개발에도 착수했다.
이밖에 현대전자도 미국에 있는 디자인 현지법인과 협력, 0.8미크론급 개발
을 완료하여 양산을 서두르는등 올들어 ASIC의 서브미크론 시대가 가속화되
고있다.
세계 ASIC시장은 금년초 서브미크론시대에 진입했으며 일본의 경우 지난해
하반기부터 이 제품을 본격 생산하고있다.