[동경=김형철특파원]NEC(일본전기)와 AT&T(미국전신전화)가 반도체의
일종인 ASIC(특수용도집적회로)분야에서 제휴, 선폭0.35미크론의 미세가공
기술을 사용한 ASIC제조기술을 95년6월까지 공동개발키로 합의했다고 일본
경제신문이 21일 보도했다.

이는 공통의 제조기술을 개발,사용함으로써 향후 제품단계에서의
협력체제를 구축하기위한 것으로 NEC와 AT&T,도시바와 IBM 지멘스등
첨단미세가공기술의 공동개발을 추진해온 미일유럽반도체업체들의 구체적인
제품분야에서의 협력을 가속화시키는 계기가 될 것이라고 이신문은
분석했다.

양사가 공동개발키로 합의한것은 ASIC의 주력제품인 셀방식집적회로의
제조기술로 NEC와 AT&T는 지난 91년 시작한 선폭0.35미크론의 기본가공기술
의 공동개발을 완료한데 이어 이번에 이를 이용한 셀방식집적회로의 제조
기술을 개발키로 합의한 것이다.

셀방식집적회로는 미리 반도체업체에서 주요기능을 포함시킨 블록회선을
다수설계한 상태에서 고객이 요구하는 기능에 따라 회선을 조합하는
방식으로 단기간에 특수용도의 집적회로를 제조할 수있다는 장점을 가지고
있다.

양사는 반도체고객들이 집적회로의 안정적 조달을 위해 복수의 공급원을
원하는 경우가 많기 때문에 이같은 협력체제를 통해 필요시 제품의
위탁생산도 가능할 것으로 내다보고 있다.

한편 NEC와 AT&T에 거액의 연구개발비용을 경감하기 위해 도시바와 IBM
지멘스,히타치와 TI(텍사스인스트루먼트)등이 미세가공기술분야에서 각각
제휴하고 있다.