[산업톱] 현대전자, 차세대 1메가S램 개발..내년부터 양산

현대전자가 국내 최초로 2세대 1메가S램을 개발했다.

현대전자는 4메가S램 기술을 적용,칩크기가 작으면서도 정보처리속도는
크게 향상된 차세대 1메가S램을 개발했다고 15일 밝혔다.

이 반도체칩은 4메가S램에 사용되는 설계기술을 활용,정보처리속도를
기존의 74나노초(1나노초는 10억분의1초)에서 55나노초로 향상시켰다.

또 0.6미크론급의 미세 가공기술을 이용,크기를 기존 1메가S램의
절반정도인 34.3평방mm까지 축소하여 컴퓨터 통신기기 노트북PC를 한층
소형화 할수있게 됐다.

이밖에 "고저항 폴리실리콘 부하형 기억소자" 대신 2.7V의 낮은 전압으로
메모리셀을 안정적으로 작동시켜주는 "TFT(초박막트랜지스터)부하형
기억소자"방식을 채택,전력소비를 최소화 한것도 특징이다.

현대전자는 이천공장 1메가S램 라인을 보완,이제품의 수요가 성수기에
접어드는 내년부터 본격 양산할 계획이다.

16메가D램의 양산에 나서는등 D램분야에서 세계 최고수준에 올라있는
현대전자는 이로써 반도체메모리분야에서는 세계적인 업체로 자리를 굳히게
됐다.

D램에 비해 집적도는 떨어지나 정보처리속도가 빠른 장점을 갖고있는
S램은 1메가급 가공기술수준이 4메가급D램에 해당하는등 제조공정이 상당히
까다로우며 올해 1메가시대에 진입,내년부터 성수기에 접어들 전망이다.