삼성전자는 지난 74년 웨이퍼 가공산업에 참여한 이래 집중적인 투자와
기술력 축적으로 타이밍이 요구되는 반도체산업을 급속히 성장시켜왔다.
D램등 메모리분야는 세계1위업체로 발돋움했고 반도체업계 전체로도
금년말에는 생산액 기준 세계 7위권에 진입할것으로 예상된다.

이제 세계 유수의 반도체업체와 어깨를 나란히 할수있는 수준까지 올라
선것이다.
내년에는 메모리분야에서 선도업체의 자리를 확고히하는 한편 이 기술력을
바탕으로 비메모리분야를 집중 육성,지속성장을위한 안정적인 사업구조를
구축한다는 전략이다.

이를위해 내년중 시설투자와 연구개발에 1조원 이상을 투입, 차세대
메모리분야의 기술고도화에 적극 대응하는 한편 주문형(ASIC)및 화합물
반도체, 초박막(TFT)LCD등 비메모리 첨단분야를 강화, 사업구조 개선에
박차를 가할 계획이다. 장비및 재료등 반도체 주변산업분야도 조기 육성
한다는 방침을 세우고 이에대한 투자를 확대해 나가고있다.

올들어 자사가 보유하고있는 기술을 국내 중소설비업체에 제공,장비
국산화에 활용토록하고있다. 또 자체적으로도 일본 DNS사및 도와사와
합작,장비제조회사를 설립했으며 포스코휼스에 대한 지분투자로 핵심
원료인 웨이퍼의 자급체제도 갖추었다.

내년에도 반도체 주변사업을 계속 육성, 95년부터는 대부분 수입에
의존해온 설비및 원부자재의 주요 도입선을 국내로 전환,국제경쟁력을
높일 계획이다.

선진기업과의 전략적 제휴를 확대,엄청난 개발비부담을 줄이고 첨단기술
확보를 위한 노력에도 나서고있다. 이를위해 그동안 기술도입에 치중해온
협력관계를 한단계 발전시켜 합작투자및 기업매수등에도 눈을 돌려 국제화
시대에 능동적으로 대처해 나갈 방침이다.