국내 반도체3사가 메모리분야에 이어 비메모리반도체에서도 세계 10대기업
에 진입한다는 목표아래 비메모리분야 연구개발을 본격 추진하고 있다.

28일 관련업계에 따르면 삼성전자 현대전자 금성일렉트론등 국내 반도체
제조3사는 비메모리분야 전문연구소를 설립하고 해외에 설계센터를 세우는
등 비메모리분야 R&D확대에 적극 나서고 있다.

삼성전자는 올해 비메모리분야 R&D에 지난해보다 1백%늘어난 9백60억원을
투입키로 했다.

삼성전자는 기흥연구소를 ASIC(주문형반도체)전담연구기관으로,수원연구소
를 고부가가치형 세트용 ASIC설계연구기관으로 전문화시킬 계획이다.

또 지난해 인수한 미국HMS사와 자본합작을 한 어레이사를 통해 갈륨비소
반도체와 특수형반도체를 개발,현재 메모리분야의 20%수준인 비메모리
반도체 매출실적을 오는 96년까지 40%로 끌어올리기로 했다.

현대전자는 다음달 준공하는 이천 제2연구소를 비메모리 전담연구소로
만들어 고부가가치형 반도체 개발에 주력할 계획이다. 이회사는 이천
제2연구소에3만6천장규모의 웨이퍼 시험생산라인을 설치,컴퓨터용 칩세트와
RISC(명령어축약형)반도체를 비롯 광전자기기용 반도체 개발을 본격화하기로
했다.

미국 현지법인의 연구인력등을 제2연구소로 유치하는 한편 미국과 대만에
비메모리반도체 설계센터를 설립,해외기술인력과의 교류도 확대할 방침이다.

금성일렉트론은 올해 ASIC분야의 매출목표를 작년보다 3백% 증가한
3백억원으로 잡고 ASIC생산을 확대키로 했다.

금성일렉트론은 이를 위해 다음달말 5백억원어치의 반도체 검사장비를
도입, ASIC센터를 본격 가동할예정이다. 이회사는 구미공장에서 생산중인
1.2미크론급에 이어 올상반기안에 청주공장에서 0.8미크론급 ASIC의 생산을
시작할 계획이다.

업계관계자는 현재 호황을 맞고 있는 메모리분야의 세계시장은 비메모리
분야에 비해 상대적으로 불안정하다고 지적하고 "국내업체들이 시장안정성
이 높은 고부가가치제품을 생산할 수 있는 비메모리분야의 기술개발에 적극
나서고 있다"고 말했다.