[국제II톱] 스미토우공업, 차세대 에칭장치 개발..NEC 합작
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[도쿄=김형철특파원] 일본 스미토모금속공업이 NEC와 공동으로 256메가D램
양산이 가능한 반도체용 차세대 에칭(식각)장치를 개발했다고 니혼게이자이
(일본경제)신문이 10일 보도했다.
256메가D램 양산에 투입될 일본 최초의 국산장치가 될 이 에칭장치는
미세가공이 가능할 뿐만 아니라 생산효율도 50%나 향상돼 앞으로 최첨단
반도체제품 생산을 위한 차세대용 제조장치가 될 것이라고 이 신문은
전했다.
에칭은 진공상태에서 프리즘을 발생시켜 반도체 회로를 부식 가공하는
반도체 제조상의 중요한 공정 가운데 하나로 스미토모와 NEC가 이번에
공동개발한 신기종은 웨이퍼상의 산화막을 진공 가공해서 전극 배선을
만드는 장치다.
이 기종은 256메가D램 생산에 필요한 직경 0.25미크론의 전극부분 미세
가공이 가능할 뿐만 아니라 1분간에 1.2미크론의 고속 에칭이 가능해 생산
효율을 50% 향상 시켰다.
스미토모금속공업은 신기종 가격을 1억엔으로 책정,"SW4000"이라는
명칭으로 이미 수주활동에 나섰는데 시판 초년도에는 우선 16메가D램
양산용으로 80대 정도를 판매할 방침이다.
이 신기종은 장치가격과 처리속도등을 종합적으로 비교할때 16메가D램
제조용으로서도 기존 기종보다 제조비용이 훨씬 싸기때문에 95년에 국내
50대,해외 30대등 80대 정도는 팔릴수 있을 것으로 전망되고 있다.
양산이 가능한 반도체용 차세대 에칭(식각)장치를 개발했다고 니혼게이자이
(일본경제)신문이 10일 보도했다.
256메가D램 양산에 투입될 일본 최초의 국산장치가 될 이 에칭장치는
미세가공이 가능할 뿐만 아니라 생산효율도 50%나 향상돼 앞으로 최첨단
반도체제품 생산을 위한 차세대용 제조장치가 될 것이라고 이 신문은
전했다.
에칭은 진공상태에서 프리즘을 발생시켜 반도체 회로를 부식 가공하는
반도체 제조상의 중요한 공정 가운데 하나로 스미토모와 NEC가 이번에
공동개발한 신기종은 웨이퍼상의 산화막을 진공 가공해서 전극 배선을
만드는 장치다.
이 기종은 256메가D램 생산에 필요한 직경 0.25미크론의 전극부분 미세
가공이 가능할 뿐만 아니라 1분간에 1.2미크론의 고속 에칭이 가능해 생산
효율을 50% 향상 시켰다.
스미토모금속공업은 신기종 가격을 1억엔으로 책정,"SW4000"이라는
명칭으로 이미 수주활동에 나섰는데 시판 초년도에는 우선 16메가D램
양산용으로 80대 정도를 판매할 방침이다.
이 신기종은 장치가격과 처리속도등을 종합적으로 비교할때 16메가D램
제조용으로서도 기존 기종보다 제조비용이 훨씬 싸기때문에 95년에 국내
50대,해외 30대등 80대 정도는 팔릴수 있을 것으로 전망되고 있다.