삼성전자가 세계 최초로 차세대 반도체인 256메가D램의 워킹 다이
(WORKING DIE)단계 시제품 개발에 성공한 것으로 알려졌다.

워킹다이 단계는 주기판 (PCB)에 전원을 연결,칩이 작동하는 단계로
개발된 반도체의 양산은 칩의 모든 기억소자가 작동하는 풀리 워킹다
이 단계와 IBM 등 세계 선도 컴퓨터 업체의 컴퓨터에 장착해 성능을
검증하는 실험시제품 단계(엔지니어링 샘플)단계를 거치게 된다.

삼성그룹관계자는 14일 지난 4월부터 기흥공장 반도체연구소으 공정
개발 1,2팀과 기술개발팀등 3개팀 2백여명이 본격적인 개발에 착수해
이달초 256메가D 램의 워킹단계 시제품 개발에 성공,최고경영진에세
보고한 것으로 안다고 말했다.

일본의 경우 일본전기(NEC)와 히타치 도시바등이 워킹다이 단계 직전
의 기술을 개발한 것으로 알려져있으나 시제품까지 만들기는 세계적으
로 삼성이 처음이다.

256메가 D램은 엄지손가락 2배크기의 면적위에 2백자 원고지 8만장에
해당하는 정보를 저장할수있는 용량이다.