현대전자, 1메가 싱크로너스 S램 개발..내년 하반기 양산

현대전자가 차세대메모리반도체인 1메가싱크로너스(Synchronous)S램의
2세대제품을 개발했다.

24일 현대전자는 16메가D램제조기술을 사용, 기존제품과는 달리 3.3V의
저전압에서 사용이 가능한 2세대 1메가싱크로너스S램을 개발했다고 밝혔다.

이회사는 내년 하반기부터 월산 50만개씩 양산하고 오는 96년부터는 월
1백만개씩 생산할 계획이다.

현대전자가 이번에 개발한 제품은 비동기(Asynchronous)전송방식의 D램에서
동기방식의 S램으로 발전하는 메모리반도체의 기술개발추세에 따른 것이다.

1메가 싱크로너스S램은 미국의 AT&T 모토롤라등이 최근 개발한 첨단 제품
으로 486이상급의 PC에서 사용된다.

현대전자가 개발한 이제품은 4층폴리실리콘및 2층알루미늄배선등 16메가
D램에서 사용되는 기술을 적용, 최대소비전력량을 1백50mA로 줄여 S램의
단점인 전류사용량 과다문제를 해결했다.

이제품은 입력되는 정보의 종류와 상황에 따라 동작하는 동기식으로 작동,
전송속도가 기존 비동기식 제품보다 7-8배정도 빠른 4나노초(1나노초는
10억분의 1초)이다.

현대전자는 이제품이 각각의 기능을 하는 반도체를 하나의 칩으로 구성,
정보전달속도가 빠르고 제품의 크기를 줄일 수 있다고 밝혔다.

현대전자는 이제품이 대용량PC및 고속워크스테이션의 보조기억장치인
캐쉬메모리등으로 응용돼 오는 98년에 16억달러규모의 세계시장을 형성할
것으로 전망하고 있다.

현대전자는 최근 국제전자제품표준화위원회로부터 자사의 64메가싱크로너스
D램제조기술이 국제표준으로 채택된데 이어 이번에 2세대 1메가싱크로너스
S램개발로 싱크로너스분야에서 국제적인 기술수준을 보유한 것으로 평가
받게 됐다고 말했다.

싱크로너스S램은 비동기전송방식의 S램을 말한다.

메모리반도체는 구성방식에 따라 D(Dynamic)램과 S(Stastic)램으로 구분
되며 전송방식으로는 동기식인 싱크로너스와 비동기식(Asynchoronous)로
나뉜다.

D램은 일정기간이 지나거나 전류가 차단될 경우 정보가 지워지는 반면
S램은 정보가 어떠한 경우에도 유지되나 소비전력이 많다는 단점을 갖고
있다.

싱크로너스는 입력되는 정보에 따라 작동, 동작속도가 빠르나 비동기전송
방식은 조건에 관계없이 순서에 따라 작동되도록 구성돼속도가 상대적으로
느리다.

메모리반도체는 비동기방식의 D램이 주류를 이루고 있으나 최근 전송
속도가 빠르고 정보가 안정적인 싱크로너스S램에 대한 수요가 늘고 있는
추세다.

(한국경제신문 1994년 10월 25일자).