16메가 플래시메모리칩 개발...일본 미쓰비시/히타치
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[도쿄=이봉후특파원] 미쓰비시전기와 히타치제작소가 고속으로 쓰고 읽을 수
있는 16메가비트 플래시메모리칩을 공동개발했다.
일경산업신문은 17일 양사가 미쓰비시의 기존제품에 비해 칩 면적을 30% 줄
임으로써 정보처리속도를 20% 향상시킨 플래시메모리칩을 개발, 96년초 생산
에 착수키로 했다고 보도했다.
미쓰비시와 히타치는 16일 미국 샌프란시스코에서 열린 국제고체회로회의(
ISSCO)에서 이 플래시메모리칩에 관해 보고했다.
양사가 개발한 16메가비트 플래시메모리칩은 정보저장단위인 셀을 병렬로
접속하는 방식과 직렬로 접속하는 방식의 장점을 살린 "DINOR"형 구조를 채
택했다.
64개의 셀을 실리콘 비트선으로 병렬로 연결한뒤 이를 알루미늄 비트선으로
잇는 방식을 사용한 것이다.
미쓰비시와 히타치는 병렬연결방식을 채택, 칩의 정보처리속도를 높였으며
실리콘 비트선을 사용함으로써 칩 면적을 76.9 로 소형화했다.
이 플래시메모리칩은 3.3볼트의 비교적 낮은 전압으로도 작동된다.
(한국경제신문 1995년 2월 18일자).
있는 16메가비트 플래시메모리칩을 공동개발했다.
일경산업신문은 17일 양사가 미쓰비시의 기존제품에 비해 칩 면적을 30% 줄
임으로써 정보처리속도를 20% 향상시킨 플래시메모리칩을 개발, 96년초 생산
에 착수키로 했다고 보도했다.
미쓰비시와 히타치는 16일 미국 샌프란시스코에서 열린 국제고체회로회의(
ISSCO)에서 이 플래시메모리칩에 관해 보고했다.
양사가 개발한 16메가비트 플래시메모리칩은 정보저장단위인 셀을 병렬로
접속하는 방식과 직렬로 접속하는 방식의 장점을 살린 "DINOR"형 구조를 채
택했다.
64개의 셀을 실리콘 비트선으로 병렬로 연결한뒤 이를 알루미늄 비트선으로
잇는 방식을 사용한 것이다.
미쓰비시와 히타치는 병렬연결방식을 채택, 칩의 정보처리속도를 높였으며
실리콘 비트선을 사용함으로써 칩 면적을 76.9 로 소형화했다.
이 플래시메모리칩은 3.3볼트의 비교적 낮은 전압으로도 작동된다.
(한국경제신문 1995년 2월 18일자).