일본의 대형 전기.전자업체인 후지쓰는 급격한 엔고 현상에 따라 미국에
최첨단 반도체 일관 생산공장을 건설할 계획이라고 니혼 게이자이
(일본경제)신문이 20일 보도했다.

후지쓰는 이 공장을 오레곤주 그레샴공장 부지안에 건설할 계획이며 연내에
착공해 97년 가동시킬 방침이라고 신문은 전했다.

이 공장은 97년 완공돼 16메가D램 생산을 개시하며 차세대 반도체인 64메가
D램의 주력 생산거점으로 육성된다.

후지쓰는 이와 함께 올 여름부터 말레이시아공장에서 프레쉬 메모리
(전기적으로 일괄 소멸과 재작성이 가능한 전용 메모리를 양산한다고 신문은
덧붙였다.

신문은 일본전기(NEC)가 영국,미쓰비시전기는 독일에 각각 새 공장을 건설
하는등 일본에서 가장 경쟁력을 갖고 있는 반도체업계도 엔고현상 때문에
해외로 생산거점을 옮기고 있다고 설명했다.

(한국경제신문 1995년 4월 21일자).