[국제II면톱] 미/일 첨단반도체기술 공동개발..AT&T-NEC계약
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[ 도쿄=이봉구특파원 ]일본 NEC사와 미국 AT&T사는 반도체 내부의 회로간
간격을 0.25미크론(1미크론은 1백만분의 1m)으로 줄이는 칩가공 기술을
공동 개발하기로 했다고 28일 밝혔다.
0.25미크론은 사람 머리카락 굵기의 2백40분의 1수준에 불과한 것으로
현재의 최첨단 고집적 칩의 회로간 간격은 0.35미크론정도 된다.
두 회사가 개발하게될 기술은 차세대의 고집적.고성능 CMOS(금속산화막
반도체)제조를 가능케 하는 핵심적인 열쇠가 되리라고 전망하면서 내년
중반까지는 새 기술을 채택한 시제품을 선보이게 될 것이라고 말했다.
NEC와 AT&T는 지난 94년 11월 0.35미크론 CMOS 가공기술을 개발했으며
NEC는 올들어 1월부터 이 기술을 적용한 칩을 만들고 있으며 AT&T는 올
연말부터 0.35미크론 칩제품을 내놓을 계획인 것으로 알려졌다.
(한국경제신문 1995년 5월 30일자).
간격을 0.25미크론(1미크론은 1백만분의 1m)으로 줄이는 칩가공 기술을
공동 개발하기로 했다고 28일 밝혔다.
0.25미크론은 사람 머리카락 굵기의 2백40분의 1수준에 불과한 것으로
현재의 최첨단 고집적 칩의 회로간 간격은 0.35미크론정도 된다.
두 회사가 개발하게될 기술은 차세대의 고집적.고성능 CMOS(금속산화막
반도체)제조를 가능케 하는 핵심적인 열쇠가 되리라고 전망하면서 내년
중반까지는 새 기술을 채택한 시제품을 선보이게 될 것이라고 말했다.
NEC와 AT&T는 지난 94년 11월 0.35미크론 CMOS 가공기술을 개발했으며
NEC는 올들어 1월부터 이 기술을 적용한 칩을 만들고 있으며 AT&T는 올
연말부터 0.35미크론 칩제품을 내놓을 계획인 것으로 알려졌다.
(한국경제신문 1995년 5월 30일자).
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