미.일.독 실리콘웨이퍼업체 9사와 일본 통산성은 오는 2001년까지 총
1백50억엔을 투입, 차세대 반도체 웨이퍼인 직경 "16인치"웨이퍼를 공동
개발키로 합의했다고 13일 밝혔다.

이들 9사는 가까운 시일안에 도쿄에서 모여 16인치 웨이퍼개발을 위한
민.관 연구기관 "스파실리콘연구소(가칭)"의 설립 발기인대회를 열고 내년
3월부터 문을 열 계획이다.

참여업체는 신에쓰반도체, 고마쓰전자금속, 스미토모시틱스, 미쓰비시
머티어리얼, 도시바세라믹스, 쇼와전공, 닛테쓰전자, 미화학회사 휼스의
자회사인 MEMC,독일 훽스트계열사 왁카케미칼등 9사이며 통산성 산하
특수법인 기반기술연촉진센터가 "관"의 창구역할을 담당한다.

이번 공동개발합의는 1기가(10억)D램 시대에 대비, 고집적 반도체에 필요한
16인치 웨이퍼 제조기술을 조기 확립하고 이에대한 제조비용을 분담, 개발및
원가부담을 낮추기 위한 것이다.

오는 2003년께는 1기가D램의 양산시대가 열릴 것으로 보여 반도체 제조
원가를 줄이기 위해서는 웨이퍼대형화가 급선무로 지적되고 있다.

현재 미국에는 반도체기술과 관련, 다양한 컴소시엄이 조직돼 있지만
웨이퍼 개발을 위한 국제연구연합체가 발족하기는 이번이 처음이다.

현재 웨이퍼는 직경 8인치가 주류를 이루고 있으며 이번 프로젝트 참여
업체들은 각각 차기시장을 겨냥, 12인치 웨이퍼를 독자개발하고 있다.

그러나 16인치 웨이퍼 개발의 경우 개별기업에서 독자추진하기에는 부담이
큰 것으로 전문가들은 분석하고 있다.

(한국경제신문 1995년 9월 14일자).