1기가(10억)급D램 이상의 초고집적 반도체개발에 필수적인 고유전체를 제
조할 수 있는 액적화학 증착 장치가 개발됐다.

4일 한국과학기술원(KAIST) 우성일.박승빈교수팀은 이장치를 개발,초고집
적 D램 개발에 필요한 고유전체인 티탄산 바륨.스트론튬박막을 제조하는데
성공했다고 밝혔다.

D램의 전하저장물질로 쓰이는 이유전체는 기존 D램에서 사용되는 산화규
소.질화규소막보다 유전율이 1백배이상 높다.

액적화학 증착장치는 미국 일본에서 최근 개발된 고유전체 박막제조기술
로 고유전체를 형성하는 물질인 바륨 티타늄등을 포함하는 유기화합물을 알
콜등의 유기용매에 녹여 반응 시킨후 이것을 (1백만분의 1m)단위의 액적으로
만들어 증착시키는 방법이다.

(한국경제신문 1995년 10월 5일자).