KIST, 이온 빔 처리기술 개발 .. 고분자재료 표면성질 변경

한국과학기술연구원(KIST)은 이온 빔을 쏘아 고분자 재료 표면의
성질을 친수성을 갖고 금속과의 접착력을 높이는 쪽으로 바꿀 수
있는 기술을 세계 처음으로 개발했다고 10일 발표했다.

세라믹스연구부 고석근 정형진박사팀은 이 기술을 개발,미국 일본에
특허출원한데 이어 삼양사와 3년간 실용화 연구에 나서기로 계약을
체결했다고 밝혔다.

고분자 재료는 내열성 절연성이 있고 저가에다 가볍고 성형이 쉬워
각종 신소재로 각광 받고 있으나 물과의 친화력이 적고 금속과의 접착
력이 떨어져활용에 한계가 있어왔다.

이번 기술개발로 높은 절연성을 갖고 고주파를 통과시키지 않아 최적
의 통신기기용 회로기판재료로 꼽히면서도 금속과 붙지 않아 실용화가
안되던 테프론을 회로기판으로 활용할수 있는 길이 열리는등 고분자재료
를 이용한 각종 전자회로기판 개발이 활기를 띠게됐다.

또 피와의 친화력을 높여 수명을 거의 무한정 늘릴수 있는 인공장기를
비롯 단백질이 안끼고 착용감을 높인 콘택트렌즈,약품처리 없이도 물방울
이 맺히지 않는 비닐하우스등을 만들 수 있게됐다.

정전기방지 탈취 방염등 기능성 고분자섬유도 손쉽게 개발할 수 있게됐
다.

< 오광진기자 >

(한국경제신문 1996년 1월 11일자).