삼성전자는 미국 텍사스주 오스틴시에 오는 3월 착공할 반도체 공장을
포함, 오는 2003년까지 반도체 공장 3개를 건설키로 했다고 17일 발표했다.

삼성전자 이윤우사장(반도체총괄)은 이날 미텍사스주 의회의사당에서
조지부시 미텍사스주지사와 공동으로 이같이 밝혔다.

삼성은 우선 13억달러를 투자, 제1공장을 98년까지 완공하고 나머지 2개
공장은 시장상황에 따라 건설시기를 조정키로 했다.

1공장은 16메가D램과 64메가D램의 혼용생산라인이 설치되며 생산규모는
8인치 웨이퍼를 월 2만5천장 가공할 수 있는 규모다.

ASIC(주문형 반도체)등 비메모리 반도체도 이 공장에서 생산할 계획이다.

이 회사는 앞으로 이 공장을 합작형태로 전환키로 하고 미국과 일본업체를
대상으로 파트너를 물색중이라고 밝혔다.

< 조주현기자 >

(한국경제신문 1996년 1월 18일자).