[ 도쿄=이봉구특파원 ]일본의 히타치제작소와 후지스가 각기 1천억엔씩을
투자해 국내외에 메모리반도체공장을 건설키로 했다고 일본경제신문이 28
일 보도했다.

이 신문은 히타치가 금년중 이바라키(자성)현 히타치나카 제조본부에
월생산능력 3백만개 규모의 64메가D램 공장을 짓기 시작한다고 전했다.

신공장에서는 선폭 0.3미크론(1미크론은 1천분의1 )으로 전자회로를
미세가공하는 최첨단기술을 사용할 예정이다.

이 공장이 완공되면 히타치는 미국.동남아에 있는 해외공장을 포함해
한달에 1천만개의 64메가 D램을 생산할 수 있는 체제를 갖추게 된다.

후지쓰는 제휴선인 미국 어드밴스드 마이크로 디바이시스(AMD)사와
공동으로 휴대전화 등에 장착되는 플래시메모리 반도체 생산공장을
금년중 착공,98년중 가동에 들어가기로 합의했다.

공장입지로는 후지쓰의 미그래샴공장(오레곤주)과 아일랜드가 거론되고
있으며 신공장에에는 0.3 5미크론 이하의 미세가공기술을 도입할 예정이
다.

양사가 플래시메모리공장을 건설키로 한 것은 미국 인텔과 일본 샤프의
연합에 대항하기 위해서이다.

후지쓰와 AMD의 합작공장은 아이즈와카마쓰에 있는 기존공장 및 현재
건설중인 공장에 이어 이번이 3번째이다.

(한국경제신문 1996년 1월 29일자).