LG반도체는 지금까지 나온 메모리 반도체중 정보처리 속도가 가장 빠른
18메가 램버스D램을 개발했다고 19일 발표했다.

이 회사는 싱크로너스D램과 함께 차세대 메모리 반도체로 꼽히는 이 제품의
정보전달 속도가 최고 초당 6백메가 바이트로 일반 D램보다 10배이상
빠르다고 밝혔다.

LG는 지난해 개발한 멀티미디어용 복합칩(하이칩)의 보조 메모리로 이
제품을 채용, 올 상반기부터 본격 상용화하기로 했다.

올해엔 2백만개를 판매하고 내년부터는 1천만개 이상씩 세계시장에 공급,
오는 2000년까지 이 분야 세계 시장 점유율을 20%로 끌어올릴 계획이다.

LG는 이번에 선보인 제품에 2메가 용량의 에러보정기능을 부여, 18메가로
구성했다고 밝혔다.

또 3.3V의 저전압으로 작동이 가능하며 32개의 핀을 탑재, 메모리 반도체가
탑재된 PCB(인쇄회로기판)의 크기를 지금까지 나온 제품보다 3분의 1정도로
줄일 수 있다고 설명했다.

또 패키지를 초박형으로 구성할 수 있어 휴대형 기기등에도 쉽게 사용할
수 있다고 덧붙였다.

램버스D램은 초고속으로 정보를 처리, 일반 D램이 CPU(주기억장치)의 정보
처리 속도를 따라가지 못해 나타나는 데이터 병목현상을 없앨 수 있는
차세대 메모리 반도체이다.

< 조주현기자 >

(한국경제신문 1996년 3월 20일자).