LG반도체는 15억달러를 단독 투자,영국 중남부 지역에 2백56메가D램
제조공장을 건설키로 했다고 29일 밝혔다.

구자학 LG반도체 회장은 이날 기자간담회를 갖고 "빠르면 올 상반기중
착공해 내년말부터 가동에 들어갈 방침"이라며 이같이 말했다.

LG 영국 공장은 곧 건설에 들어갈 말레이시아 페낭공장에 이어 두번째
해외생산기지가 된다.

구회장은 "영국공장에선 원칙적으로 12인치 웨이퍼를 사용할 방침이나
표준규격 제정이 늦어질 경우 8인치를 이용하게 될 것"이라고 말했다.

LG는 "유럽공장 건설지역으로 영국과 독일을 검토했으나 임금이 싸고
우수한 설계인력이 많은 영국을 선택했다"며 "영국 정부와 원칙적인 합의를
끝내고 중남부 지역을 대상으로 구체적인 입지를 물색중"이라고 설명했다.

LG는 이와함께 말레이시아 페낭공장도 당초 16메가D램을 생산하려던
계획을 바꿔 64메가D램 전용공장으로 건설키로 했다고 밝혔다.

LG관계자는 이와 관련, "64메가D램 시장이 당초 예상보다 빨리 형성될
것으로 전망돼 계획을 수정키로 했다"고 설명했다.

LG는 일본 히타치사와 총 12억달러 규모를 투자, 말레이시아 페낭공장에
반도체 공장을 짓기로 작년말 계약했었다.

< 조주현기자 >

(한국경제신문 1996년 4월 30일자).