일본 히타치는 램반도체와 롬반도체의 장점을 결합한 2백56킬로비트용량의
비휘발성 강유전체 메모리칩(FRAM)을 개발했다고 30일 발표했다.

히타치는 미국의 램트론 인터내셔널사와 공동개발한 이 FRAM을 오는 12월
부터 샘플출하 할 계획이라고 밝혔다.

샘플가격은 개당 1천2백-1천3백엔으로 책정됐다.

FRAM은 비휘발성 메모리칩으로 램의 고속성과 롬의 낮은 전력및 전원이
꺼져도 기억이 지워지지 않는 특성을 갖고 있어 플래시메모리칩과 성격이
비슷한 반도체이다.

그러나 정보저장및 처리속도는 플래시메모리칩에 비해 2배가량 빠른 첨단
반도체이다.

FRAM은 셀룰러폰 개인정보통신기를 비롯해 배터리충전이 필요없는 디지털
개인정보통신장비등 휴대형 전자제품에 주로 쓰이고 있으며 그 활용범위가
점점 확대되고 있는 추세다.

(한국경제신문 1996년 10월 1일자).