현대전자는 현재 세계에서 상용화된 비메모리 반도체중 집적도가 가장
높은 회로선폭 0.35미크론m(1미크론m는 1백만분의 1m)급 비메모리 반도체
제조기술을 개발했다고 4일 발표했다.

회로간 폭이 0.35미크론m급인 제품은 미국 인텔과 TI 일본 도시바
등에서만 생산하고 있는 최첨단 반도체다.

이 회사는 미국자회사인 심비오스 로직과 공동으로 이 기술을 개발,
시제품을 생산했다고 밝혔다.

현대는 이번에 개발한 회로선폭 0.35미크론m급 제조기술을 사용할 경우
1초에 2천5백만자(영문기준) 분량의 정보를 처리, 0.5미크론m급 제품에
비해 같은 시간동안 1천4백만자 분량의 데이터를 더 전달할 수 있다고
덧붙였다.

< 조주현기자 >

(한국경제신문 1996년 10월 5일자).