LG반도체는 포항공대와 공동으로 4기가D램 제조에 사용할 수 있는
초미세 노광기술을 개발했다고 21일 발표했다.

노광공정은 빛을 이용해 반도체 원재료인 웨이퍼위에 회로를 그려내는
것으로 반도체 제조의 핵심공정으로 꼽힌다.

LG가 이번에 개발한 기술은 회로간 간격을 0.13미크론m(1미크론은
1백만분의 1m)으로 좁힐 수 있는 첨단 공법이다.

이 회사는 웨이퍼에 쬐는 빛으로 자외선을 사용하던 방식과는 달리
X선을 투과토록 했다고 설명했다.

LG는 포항공대의 방사광 가속기를 이용, 이 기술을 개발했으며 X선을
사용한 것은 이번이 세계에서 처음이다.

LG 관계자는 "64메가D램의 회로선폭이 0.35미크론m임을 감안할 때 이
기술은 3세대 정도 앞선 것으로 평가할 수 있다"며 "일본 미쓰비시나
미국 IBM등에서도 개발을 추진하고 있으나 실질적인 성과는 아직
거두지 못한 첨단기술"이라고 설명했다.

이 회사는 현재 사용되고 있는 자외선 방식은 회로선폭 0.2미크론m급
이하에서는 사용하기 곤란해 파장이 짧고 투과도가 높은 방사광 X선을
이용했다고 밝혔다.

LG는 "당초 올해말까지 1기가D램에 사용할 수 있는 0.18미크론m급 기술을
개발한 뒤 오는 2000년까지 0.13미크론m급 기술을 확보한다는 계획이었으나
조기에 이를 완료하게 됐다"고 덧붙였다.

<조주현기자>

(한국경제신문 1996년 10월 22일자).