삼성종합기술원, 새로운 물질분석장치 개발
-
기사 스크랩
-
공유
-
댓글
-
클린뷰
-
프린트
물질내에 포함되어 있는 거의 모든 원소의 구조를 분석할 수 있는
새로운 물질분석장치가 개발됐다.
삼성종합기술원 분석연구실 송세안 박사팀은 러시아 PTI연구소와 공동
으로 산소에서부터 우라늄까지 모든 원소의 구조를 분석할 수 있는 X선
전자분광분석장치(XIEES)를 개발했다고 8일 밝혔다.
이 장치는 물질로부터 방출되는 전자 및 X선을 검출해 물질의 원자구조
를 분석하는 것으로 단색광 에너지영역이 0.47~41.6킬로전자볼트( keV )
에 달해 기존 장치(4~14 keV )보다 분석범위가 넓은게 장점이다.
또 X선 흡수,형광 X선 방출,X선 흡수스펙트럼,전자방출 스펙트럼,2결정
회절스펙트럼,전반사형광스펙트럼 등을 얻을수 있다.
특히 대상 물질을 손상시키지 않는 비파괴분석은 물론 물질의 표면에
대해서만 분석할수도 있으며 박막물질의 경우 별도의 시료를 제작하지 않
아도 된다.
이 장치는 물질을 구성하는 특정원자와 주위원자간의 상호배열 및 전
자구조를 정확히 분석하는데 활용될 수 있으며 반도체,박막소자,금속 및
세라믹,촉매,금속유기화합물,단백질결정,비정질물질 등의 분석에 폭넓게
활용될 것으로 기대된다.
또 X선과 물질의 상호작용으로 생성되는 전자방출의 생성메커니즘을
규명하는 기초설비로도 활용될 것으로 전망된다.
(한국경제신문 1997년 10월 9일자).
새로운 물질분석장치가 개발됐다.
삼성종합기술원 분석연구실 송세안 박사팀은 러시아 PTI연구소와 공동
으로 산소에서부터 우라늄까지 모든 원소의 구조를 분석할 수 있는 X선
전자분광분석장치(XIEES)를 개발했다고 8일 밝혔다.
이 장치는 물질로부터 방출되는 전자 및 X선을 검출해 물질의 원자구조
를 분석하는 것으로 단색광 에너지영역이 0.47~41.6킬로전자볼트( keV )
에 달해 기존 장치(4~14 keV )보다 분석범위가 넓은게 장점이다.
또 X선 흡수,형광 X선 방출,X선 흡수스펙트럼,전자방출 스펙트럼,2결정
회절스펙트럼,전반사형광스펙트럼 등을 얻을수 있다.
특히 대상 물질을 손상시키지 않는 비파괴분석은 물론 물질의 표면에
대해서만 분석할수도 있으며 박막물질의 경우 별도의 시료를 제작하지 않
아도 된다.
이 장치는 물질을 구성하는 특정원자와 주위원자간의 상호배열 및 전
자구조를 정확히 분석하는데 활용될 수 있으며 반도체,박막소자,금속 및
세라믹,촉매,금속유기화합물,단백질결정,비정질물질 등의 분석에 폭넓게
활용될 것으로 기대된다.
또 X선과 물질의 상호작용으로 생성되는 전자방출의 생성메커니즘을
규명하는 기초설비로도 활용될 것으로 전망된다.
(한국경제신문 1997년 10월 9일자).