LG반도체는 기존 싱크로너스 D램에 비해 처리속도가 2배 빠른 초고속
16메가 싱크로너스D램을 개발, 양산에 들어갔다고 16일 발표했다.

이 제품은 정보처리속도가 싱크로너스제품중 최고속일뿐 아니라
정보입력후 최초 자료가 나올때까지의 시간(어드레스 접속시간)이
기존의 절반수준인 16나노초(1나노초=10억분의1초)에 불과하다.

따라서 고성능 중앙처리장치와 메인메모리와의 속도차이를 최소화할수
있는 장점이 있으며 인텔을 비롯한 대형 컴퓨터업체가 내년도 차세대
메모리의 표준으로 제시하고 있는 규격을 충족시킨 최초의 제품이라고
밝혔다.

특히 이 제품은 기존 제품에 비해 칩의 크기를 축소시켜 웨이퍼당 가공할
수 있는 칩의 수를 60%이상 증가시킨 5세대 제품이어서 가격경쟁력도 크게
높아질 것으로 기대하고 있다.

5세대제품은 웨이퍼당 칩을 7백개 가량 만들수 있는 수준으로 16메가
분야에서 세계적인 경쟁력을 갖춘 미국의 마이크론테크놀러지사와 같은
세대의 제품이다.

LG는 이 제품의 생산공정에 2백56메가D램에 적용될 회로선폭 0.25미크론의
설계및 공정.박막가공기술을 적용했다고 설명했다.

이 제품은 이같은 장점으로 내년에 절정을 맞을 것으로 예상되는
16메가시장에서 주력제품으로 떠오를 것으로 전망되고 있으며 LG반도체의
내년도 16메가 매출중 60%이상의 비중을 차지할 것으로 기대되고 있다.

<김낙훈 기자>

(한국경제신문 1997년 10월 17일자).