한장의 웨이퍼에 현재보다 4배가량 많은 반도체를 설계할 수 있는
0.08마이크론m(1마이크론m는 1백만분의 1m)의 극정밀 인쇄기술이 텍사스
대학 연구팀에 의해 개발됐다.

텍사스대학 연구팀은 파장길이가 1백93nm(1nm는 10억분의 1m)인 노광
장치를 이용해 0.08마이크론m의 반도체 설계기술을 개발했다고 24일
캘리포니아 샌타클레라에서 열린 사진광학기기학회에서 발표했다.

이는 현재 생산되는 반도체가 통상 0.3마이크론m 설계기술을 사용하고
있는 것과 비교할 때 웨이퍼 한장당 약 4배의 반도체를 설계, 생산할 수
있는 획기적 기술이다.

따라서 이 기술이 실용화되면 64메가D램의 경우 8인치 웨이퍼 한장당
생산량을 현재의 2백50개에서 약 1천개까지 늘릴 수 있게 된다.

한국업체들의 극정밀 인쇄기술은 삼성전자가 0.18마이크론m까지 개발해
놓고 있으나 실제 생산에는 0.3마이크론m급 기술을 적용하고 있다.

텍사스대학 연구팀이 개발한 기술은 특히 1백93nm의 노광장치를
이용했다는 점에서 주목을 받고 있다.

<임혁 기자>

(한국경제신문 1998년 2월 27일자).