일본 후지쓰와 마쓰시타전기는 올 연말부터 차세대 메모리로 불리는 F램
(강유전체 메모리)의 대량생산에 돌입한다고 니혼게이자이신문이 5일 보도
했다.

이 신문에 따르면 마쓰시타는 올 연말까지 토야마현에 월간 6인치 웨이퍼
2만장을 가공할 수 있는 F램 전용생산라인을 구축키로 했다.

후지쓰도 금년 하반기부터 월간 64KB급 F램이 장착된 IC카드 3천개를
생산할 방침인 것으로 전해졌다.

양사는 이와 함께 F램을 장착한 전자머니용 IC카드 사업에도 박차를 가할
것이라고 이 신문은 덧붙였다.

F램은 D램수준의 대형 기억용량을 갖추고 있으며 동작속도도 기존 메모리
보다 1백배이상 빠르다.

또 전력소모가 작고 전원공급이 끊어져도 데이터가 지워지지 않는 장점이
있어 D램을 대체할 고성능 메모리로 각광받고 있다.

한편 오는 2010년께는 F램의 시장규모가 3조엔에 달할 전망이어서 세계
반도체 메이커들은 시장선점을 위해 치열한 기술개발 경쟁을 벌이고 있다.

(한국경제신문 1998년 3월 6일자).