삼성전자가 내년부터 회로선폭을 0.18미크론m으로 좁힌 64메가D램 5세대
제품을 생산한다.

11일 삼성전자는 2백56메가D램을 생산하기위해 개발한 회로선폭 0.18미크론m
(1미크론m은 1백만분의 1m)급의 초미세 가공기술을 적용, 내년부터 "5세대
64메가D램"을 양산키로 했다고 밝혔다.

메모리 반도체인 D램은 기억용량에 따라 1메가 4메가 16메가 64메가 등으로
세대를 나누는게 일반적이나 회로선폭의 크기에 따라 세대를 구분하기 한다.

예컨대 같은 64메가D램이라 하더라도 3세대 0.35미크론m, 4세대
0.22미크론m, 5세대 0.18미크론m 등으로 세대가 바뀔수록 회로선폭이
좁아진다.

회로선폭이 좁아지면 단위생산량이 늘어 생산원가가 낮아진다.

황창규 반도체총괄연구소장은 "일반적으로 회로선폭이 한세대 진전되면
웨이퍼 한장당 생산량이 50%정도 늘어난다"고 말했다.

"회로선폭 0.18미크론m급의 5세대 기술을 적용하면 생산량이 지금의 거의
두배로 늘어난다"는 설명이다.

삼성전자는 현재 64메가D램에 3세대 기술인 0.35미크론m 회로선폭을 적용
하고 있으며 최근들어 이를 4세대인 0.22미크론m으로 대체중인 것으로
알려졌다.

삼성전자는 5세대 제품의 생산으로 오는 4.4분기중 16메가에서 64메가로
넘어갈 것으로 예상되는 전세계 D램 반도체 시장을 장악할 수있을 것으로
기대하고 있다.

황 소장은 "64메가D램을 필요로 하는 PC-100규격 컴퓨터의 등장으로 세대
교체가 빨라질 것으로 보여 2백56메가D램을 생산키 위해 개발한 0.18미크론m
회로선폭기술을 64메가에 적용키로 했다"고 덧붙였다.

삼성전자가 0.18미크론m의 5세대 64메가D램을 내년초부터 생산키로 함에
따라 세계반도체업계에 미세회로개발을 통한 생산원가 낮추기 경쟁이 한층
치열해질 것으로 전망된다.

세계 반도체업계는 공급과잉으로 인한 가격하락을 원가절감으로 만회하기
위해 미세회로 개발에 적극 나서고 있다.

일본 NEC의 경우 2백56메가D램을 오는 99년 하반기에 내놓기 위해
삼성전자와 같은 0.18미크론m의 회로선폭을 개발중이다.

또 도시바 히타치 후지쓰 등도 0.16~0.18미크론m의 회로선폭을 개발하고
있다.

< 박주병 기자 cbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 5월 12일자 ).