LG반도체는 64메가 D램 제조장비로 2백56메가 D램을 3세대 제품까지
생산할 수 있는 새로운 커패시터(Capacitor) 제조공정기술을 개발, 세계
처음으로 실용화에 성공했다고 11일 발표했다.

LG가 개발한 신기술은 반도체 제조의 핵심 공정중 하나인 증착공정에서
커패시터를 형성시키는 웨이퍼 표면막처리 기술이다.

LG는 이번 기술 개발로 2백56메가급의 장비를 따로 구입하지 않아도 돼 약
1조원의 투자비를 절감할 수있을 것으로 보고있다.

LG는 새로운 커패시터 제조공정 기술의 개발에 따라 2백56메가 D램의
가격경쟁력을 높힐 수 있게 됐을 뿐만 아니라 양산일정도 앞당길 수 있게
됐다고 덧붙였다.

LG는 오는 12월부터 회로선폭이 0.18~0.20미크론m(1미크론m은 1백만분의
1m)인 2백56메가 D램 2세대 제품을 생산할 계획이다.

세계 주요 반도체업체들은 올해말부터 2백56메가 D램을 생산한다는 목표
아래 생산원가를 낮추기 위한 공정개발에 경쟁적으로 나서고 있다.

삼성전자 현대전자 일본의 NEC 히타치 등은 기존의 8인치 웨이퍼를 활용
하거나 탄탈륨 티타늄산화물 등을 이용하는 유전막형성기술 등을 개발했거나
개발중인 것으로 알려지고 있다.

LG는 탄탈륨과 티타늄 산화물을 이용한 유전막형성기술도 특허출원했으나
장비구입 부담이 커 추가 연구 끝에 커패시터 제조공정을 개발했다고 설명
했다.

<> 커패시터 제조공정기술 =2백56메가 D램 1개에는 2억5천6백만개의
트래지스터와 커패시터가 집적돼 있다.

D램은 세대가 올라갈수록 트랜지스터와 커패시터의 크기가 작아져야만
고용량의 메모리가 가능하다.

이들의 소형화를 위해서는 초미세 가공이 가능한 고가 장비를 구입하여
사용하거나 새로운 기능의 신소재를 이용, 전기적 특성을 높힘으로써 소형화
하더라도 동일한 성능을 발휘할 수있게 하는 방법이 있다.

LG가 개발한 기술은 신소재를 이용, 커패시터의 전기적 특성(유전율)을
높힘으로써 커패시터의 크기를 2백56메가D램의 양산에 아무런 문제가 없는
수준까지 작게 만드는 것이다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 10월 12일자 ).