"생산원가를 낮춰라"

반도체업체들이 가격하락에 따른 채산성 저하를 보전키위해 원가절감에
경쟁적으로 나서고있다.

반도체업체들은 우선 초미세회로 선폭기술을 적극 개발, 웨이퍼 한 장당
칩 생산량을 늘리는 방안을 추진하고 있다.

또 기존 생산라인을 차세대 제품 라인으로 활용, 투자비를 줄이는 방안도
모색중이다.

삼성전자는 지난 7월 0.13미크론(1미크론는 1백만분의 1m)의 회로선폭
기술을 세계 처음으로 개발했다.

삼성은 4기가 D램에 적용될 것으로 예상됐던 이 회로선폭 기술을 64메가와
2백56메가 D램에 사용키로했다.

현재 64메가 D램에는 0.23미크론이 적용되고있다.

따라서 0.13미크론의 회로선폭으로 설계하면 칩 크기를 절반으로 줄여
생산원가를 크게 낮출 수있다.

삼성은 2백56메가 D램도 기존의 64메가D램 생산라인 시설을 활용, 생산할
계획이다.

2백56메가D램을 생산하기위해서는 12인치의 웨이퍼가 필요하나 8인치
웨이퍼를 사용해 2백56메가 D램 샘플을 최근 생산했다.

8인치 웨이퍼는 12인치 웨이퍼에 비해 웨이퍼장당 생산개수가 적어
12인치를 사용하는 업체에 비해 불리하다.

삼성은 그러나 시설 투자비를 줄이면서 시장을 선점하는게 중요하다고
판단, 이 방법을 택했다.

LG반도체는 64메가 D램 생산 장비로 2백56메가 D램 3세대 제품까지
생산할수있는 새로운 커패시터(Capacitor)제조공정을 개발, 실용화하는데
최근 성공했다.

이 기술은 증착공정에서 커패시터를 형성시키는 웨이퍼 표면막 처리
기술로 이번 기술개발로 2백56메가 D램 라인 건설에 약 1조원의 투자비를
절감할 수 있을 것으로 보고있다.

LG 반도체는 또 웨이퍼 한장당 생산할수있는 칩수도 꾸준히 늘려 생산원가를
낮추고있다.

지난달 회로선폭 0.23미크론이 적용된 64메가D램을 8인치웨이퍼 한장에서
4백35개 생산, 세계 최고 기록을 수립했다.

LG는 조만간 0.18미크론 기술도 적용할 계획이다.

현대전자는 최근 반도체 회로를 설계하는 노광장비의 렌즈구경을 확대시켜
해상도를 높이고 0.25미크론의 회로선폭을 그릴수있는 일종의 감광재인
포토레지스트를 개발했다.

이에따라 회로선폭 0.25미크론급의 반도체 설계에 필요한 고가의 KrF
엑시머 노광장비를 구입할 필요가 없어져 6천만달러의 장비구입비 절감효과를
거두게 됐다고 밝혔다.

또 탄탈륨 막을 이용한 커패시터 제조기술을 지난 8월 개발하고 이 기술이
적용되는 장비도 국산화해 약 1억2천만달러의 투자비를 아낄 수있게 됐다는
설명이다.

현대전자는 현재 0.28미크론의 회로선폭을 적용, 64메가D램을 양산하고
있으나 이달말부터는 이를 0.21미크론으로 대체한다는 계획도 세워놓고있다.

현대는 전자빔 노광장비(마스크에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 반도체회로를
그리는 장비)와 자체 개발한 스텐실 마스크(Stencil mask)를 이용해
머리카락 두께의 1천분의 1수준인 0.09미크론급 초미세 회로도 개발
고집적화에 적극 나서고있다.

( 한 국 경 제 신 문 1998년 10월 20일자 ).